1、取长度为L的导线,由于电场垂直于导线向外呈均匀辐射状,在L周围取一长为L,半径为R的圆环形高斯面 高斯面内部包含电荷Q=λL 由高斯定理,该高斯面的电通量φ=Q/ε0, 又电场在高斯面上强度相等, 所以E=φ/S=φ/(2πRL)=Q/(ε0*2πRL)。
2、做一个半径为r,高度为单位长度的圆柱形高斯面,由高斯定理:ε0 E * 2πr=λ E=λ/2πε0,方向垂直于导线 ε0为自由空间介电常数。
3、φ=E2-E1=(λ/20r2)-(λ/20r1)(2)我语文不好。如果这个无穷处指的是离直线无穷远也可以这样取不管直线带多少电(Q),E=F/q=kQ/r,r→∞,E→0。如果是接近直线两头就不行呗,应该问的不是这种情况。
4、使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高。又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ/r。
1、B=k I r(k是常数、I是导线中电流强度、r是该点到直导线的距离)。无限长均匀带电圆柱面的内部的电场强度为零,可以取圆柱状的高斯面,只有侧面有电通量,代入高斯定律可得电场强度。注意事项:在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。
2、无限长带电直线的电场强度为E=λ/2πε0r。高斯定理:做一个半径为r、高为h的圆柱面,柱面轴线与带电直线重合,柱面上的场强就是直线外与直线距离r的场强:E2πrh=λh/ε0,可得E=λ/2πε0r,其中λ为带电直线的电荷线密度。
3、高斯定理:做一个半径为r、高为h的圆柱面,柱面轴线与带电直线重合,柱面上的场强就是直线外与直线距离r的场强:E*2πrh=λh/ε0--E=λ/2πε0*r,其中λ为带电直线的电荷线密度。在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。
4、取长度为L的导线,由于电场垂直于导线向外呈均匀辐射状,在L周围取一长为L,半径为R的圆环形高斯面 高斯面内部包含电荷Q=λL 由高斯定理,该高斯面的电通量φ=Q/ε0, 又电场在高斯面上强度相等, 所以E=φ/S=φ/(2πRL)=Q/(ε0*2πRL)。
5、电场强度是个矢量,具有方向性,周围电荷产生的电场在这里能等大方向的电场,合成就为0。

1、直导线内是有电流的,是动电场而不是静电场,物理书上的例题写的是“细zhi棒”而不是“导线”,那是不流动的电荷。则根据电磁场相对论变换,E=y(E-vB),这里y=[1-(v/c)^2]^(-0.5),为膨胀因子,c为光速,由此可得:E={λ*[1-(i/λc)^2]^(-0.5)}/(ε0*2πR)。
2、用微元法可证电场E=莱姆达/(2π*爱普西龙*r),莱姆达是电荷线密度,爱普西龙=(4π*987551*10^9)^-1 磁场用微元法结合比奥·萨法尔·拉普拉斯定律有B=(μI)/(2πr),μ=4π*10^-7 上述常量未带单位。楼主,这是物理奥赛的内容啊,请慎重。
3、取长度为L的导线,由于电场垂直于导线向外呈均匀辐射状,在L周围取一长为L,半径为R的圆环形高斯面 高斯面内部包含电荷Q=λL 由高斯定理,该高斯面的电通量φ=Q/ε0, 又电场在高斯面上强度相等, 所以E=φ/S=φ/(2πRL)=Q/(ε0*2πRL)。
4、基本公式是高斯定律,电场中通过任意封闭面的电通量等于该封闭面所包围的电荷量的电量的代数和的1/ε0倍。表达式∮E·dS=∑q/ε0。