位错密度的位错密度的测定
1、国家标准（GB1554-79）中规定 ：位错密度在104个/cm2以下者，采用1mm2的视场面积；位错密度在104个/cm2以上者，采用0.2mm2的视场面积。并规定取距边缘2mm的区域内的最大密度作为出厂依据 。
2、衡量位错活跃程度的指标是位错密度，它定义为单位体积晶体中位错的总长度。然而，实际测定位错密度并非易事，我们通常通过估算每单位面积的位错线数来把握这一微观世界的复杂动态。/ 在透射电镜的精细探索中，对位错的研究更加细致入微。
3、近10年来，有关学者经过对我国各地区各地质时代的含橄榄石或石英的岩石进行了位错密度的测定（约250件样品），发现各时期均具独特的位错密度与相应的古应力值。从没有出现过时代越老的岩石，数值也越大的现象。
位错密度的介绍
1、位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。
2、那么位错密度就是：在金属晶体中的位错是相当多的，通常以通过单位面积上的位错线的根数来衡量，称为位错密度。
3、位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度，单位是1/平方厘米1。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米2。
4、由于位错是已滑移区和未滑移区的边界 ，所以位错线不能中止在品体内部，而只能中止在晶体的表面或晶界上。在品体内部，位错线一定是封闭的，或者自身封闭成一个位错圈，或者构成三维位错网 。
5、题主是否想询问“搅拌摩擦焊的位错密度是多少”？0.9~0.91g/cm3。根据查询搅拌摩擦技术操作信息得知，位错密度在0.9~0.91g/cm3之间，是属于正常位错范围，缝中心层区域硬度分布呈“V”型。摩擦是物体之间紧密接触并来回移动。
【求助】请问各位怎样计算位错密度?
1、储能与位错密度的公式为W=1/2CU？。C为电容，U为电压，电容的容量单位是法拉（F）法拉单位大，使用最多的是微法（UF）或皮法（PF）。
2、密度的变形式 原式：ρ=m/V 变形：m=ρV V=m/ρ （ρ表示密度，m表示物体质量，V表示物体体积）2密度题巧算方法 先根据物体漂浮时的公式：F浮=G物 F浮=ρ液gV排，G物=mg=ρ物gV ρ液gV排=ρ物gV 整理，得ρ物=V排/V·ρ液 注：V排/V为物体浸没在液体中的体积分数。
3、国家标准（GB1554-79）中规定 ：位错密度在104个/cm2以下者，采用1mm2的视场面积；位错密度在104个/cm2以上者，采用0.2mm2的视场面积。并规定取距边缘2mm的区域内的最大密度作为出厂依据 。
4、对金属材料来说，位错密度对材料的韧性，强度等有影响。2位错密度越大，材料强度越大，延性越不好。3位错密度取决于材料变性率的大小。在高形变率荷载下，位错密度持续增大，因为高应变率下材料的动态回复与位错攀岩被限制，因而位错密度增大，材料强度增大，可以等同于降低材料温度 。
位错密度的位错的形态特点
1、由于位错是已滑移区和未滑移区的边界 ，所以位错线不能中止在品体内部，而只能中止在晶体的表面或晶界上。在品体内部，位错线一定是封闭的，或者自身封闭成一个位错圈，或者构成三维位错网 。
2、位错的形态特点 由于位错是已滑移区和未滑移区的边界，所以位错线不能中止在晶体内部，而只能中止在晶体的表面或晶界上。在晶体内部，位错线一定是封闭的，或者自身封闭成一个位错圈，或者构成三维位错网。
3、位错是一种特殊的很重要的晶体缺陷.其特点是围绕着一跟很长的线（相对于晶体来说），在一定范围内原子发生了有规律的错动，都离开了他们原来的平衡位置，所以叫位错.那么位错密度就是：在金属晶体中的位错是相当多的，通常以通过单位面积上的位错线的根数来衡量，称为位错密度。
4、刃型位错犹如一把锐利的刀，其额外拥有半个原子面，其位错线与滑移矢量形成垂直的角度，赋予晶体独特的力学性能。/相比之下，螺型位错则更为微妙，它的原子错排呈现出轴对称的图案，位错线与滑移方向垂直，且区分左右螺旋，这种结构使得螺型位错对晶体的畸变影响随距离的减小而加剧。
