三星5nm晶体管密度
根据Wikichip数据，三星5nm工艺节点的晶体管密度只有127MTr/mm，而台积电上一代的5nm工艺就已经有173MTr/mm2。三星第一代3nm工艺使芯片功耗降低50%、性能提升30%、芯片面积减少35%。
三星5nm工艺节点的晶体管密度大约为125MTr/mm。 根据Wikichip的数据，三星5nm工艺节点的晶体管密度为127MTr/mm，而台积电上一代5nm工艺的晶体管密度已经达到173MTr/mm。 三星第一代3nm工艺使得芯片功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
骁龙888采用的是三星的5nm工艺，但是三星的5nm和台积电的5nm只是名字上类似，从晶体管密度上来说完全就是两码事，三星5nm的晶体管密度每平方毫米只有127万个晶体管，而台积电的5nm工艺则可以达到173万个，差距达到了46%。
在7nm时，老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术就应该谢幕了，由环绕栅极晶体管（GAAFET）接替。但由于技术风险和成本压力，大厂们在5nm时代仍不得不使用老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，结果就是如前文所述，5nm的芯片漏电流功耗飙涨，在功耗上集体翻车，几乎消耗掉制程工艺进步的红利。
芯片是怎样制成的?
晶圆制备：芯片的起始材料是晶圆，它主要由高纯度的硅构成，这种硅是通过将石英砂经过提炼获得的，确保其纯度达到9999%。提取出的纯硅随后被拉制成硅晶棒，这些晶棒是制造集成电路的关键材料。晶圆是将这些晶棒切割成薄片得到的，它的厚度直接影响生产成本，同时对加工技术的要求也随之提高。
芯片是怎么制作出来的如下：芯片设计。芯片属于体积小，但高精密度极大的产品。想要制作芯片，设计是第一环节。设计需要借助EDA工具和一些IP核，最终制成加工所需要的芯片设计蓝图。沙硅分离。所有的半导体工艺都是从一粒沙子开始的。因为沙子中蕴含的硅是生产芯片“地基”硅晶圆所需要的原材料。
硅圆片在金刚石切割机床上被分切成单个的芯片，到此的单个芯片被称为“管芯”。将每个管芯分隔放置在一个无静电的平板框中，之后管芯被插装进它的封装中。便制作好了。
湿洗步骤：通过使用不同的化学试剂，确保硅晶圆表面没有杂质，保持其清洁。 光刻过程：利用紫外线透过光罩照射硅晶圆，照射到的区域会变得脆弱，容易被去除，而未被照射的区域则保持原状。这样，在硅晶圆上就可以形成所需的图案。需要注意的是，此时硅晶圆上还未引入任何杂质。
集成电路芯片的尺寸和密度如何影响其性能和功能?
1、随着尺寸缩小与密度增加，芯片上可实现的功能增多，功能性增强。同时，尺寸与密度也影响着芯片的性能。较小尺寸与较高密度缩短信号传输距离，减少电阻与电容影响，提升速度与响应时间。此外，降低功耗，因电流在短距离内流动，能量损耗减少。然而，尺寸与密度增加亦带来挑战。
2、晶体管尺寸对集成电路的影响 集成度和工作速度：晶体管是集成电路的基本元件，芯片中晶体管的数量和尺寸直接决定了芯片的集成度和工作速度。晶体管尺寸越小，单位面积内可以容纳的晶体管数量就越多，从而实现了更高的集成度，而集成度的提高则可以提高芯片的运行速度。
3、芯片的尺寸变大，是因为有更多的功能模块需要被集成在一起，即使工艺升级、密度加大，也仍然需要更大的面积。
4、芯片nm越小集成度越高、性能越强。芯片本质上是一个集成电路，制程工艺越小，在同样面积上集成的电路越复杂，电路的性能就越强。这个收益放到手机上更为明显，由于手机在追求轻薄的同时，实现能效的最大化，所以处理芯片的制程工艺当然是越小越好。
5、密度：7纳米制程相比10纳米制程具有更高的晶体管密度。更小的尺寸意味着在同样的芯片面积上可以容纳更多的晶体管，从而提供更高的集成度和更多的功能。总的来说，7纳米制程相比10纳米制程在功耗、性能和集成度上都有显著的提升，这使得7纳米芯片更适合于高性能计算、人工智能等领域的应用。