杨立新个人简介
杨立新教授，1961年4月出生于湖南澧县，专注于无机化学研究。作为硕士生导师，他负责无机化学专业硕士学位点，并是湘潭大学化学和应用化学本科专业《无机化学》基础课程的主要授课教师。杨教授在学术领域有着广泛的影响，作为同行评审专家，他参与审稿的期刊包括《J. Coord. Chem.》、《化学学报》等。
杨立新，现任中国人民大学民商事法律科学研究中心主任，法学院教授，博士生导师。同时，他还是中央五五普法国家中高级干部学法讲师团成员，最高人民检察院专家咨询委员会委员。他担任中国法学会民法学研究会副会长兼学术委员会副主任，以及中国法学会婚姻法学研究会常务理事等职务。
杨立新，1957年8月1日出生于北京，1975年考入北京人民艺术剧院。1991年因《半边楼》呼延东一角，正式踏入娱乐圈。1999年，因《愁眉笑脸》获得小百花奖特别表演奖。2003年，获文化部第二十届梅花奖。北京市第一届德艺双馨（艺术家）称号，享受国务院特殊津贴。
杨立新是著名话剧演员。杨立新，1957年8月1日出生于北京，是中国内地著名的影视剧和话剧男演员。他毕业于北京人民艺术剧院，是国家一级演员。杨立新在1991年首次参演电视剧《半边楼》，在剧中饰演呼延东一角，从而正式进入演艺圈。
薄膜沉积丨ALD沉积Al2O3薄膜-矢量科学
1、ALD Al2O3的特点在于，相较于其他薄膜沉积方法，它能制备出结构致密、保形性好、缺陷密度低、性能优异的薄膜，尤其适用于在深宽比大、复杂3D多孔基材上沉积均匀、一致的共形薄膜。ALD Al2O3的原理基于自限制吸附界面化学反应的逐层生长，依赖于至少两种化合物的饱和吸附和不可逆的气-固反应。
2、ALD的原理是连续、自限的逐层沉积，通过表面反应在基材上精确生长。与连续CVD不同，ALD提供了卓越的厚度控制，尤其适合精细的光学设计。
3、近来，ALD（原子层沉积）技术在光学元件表面镀膜展现出明显优势，特别是在半导体集成电路行业推动下，电子器件趋向微型化与集成化。为保证极小间隔微纳结构协同、无干扰工作，薄膜沉积工艺成为芯片核心载体。ALD工艺作为薄膜沉积技术的佼佼者，正在“后摩尔时代”扮演关键角色，有望实现国产化替代。
4、薄膜沉积工艺在半导体芯片制作中扮演着重要角色，它是将一层薄膜沉积在半导体的主要衬底材料上，以实现特定的电学或光学性能。这一过程可通过物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）实现，其中CVD工艺在半导体行业应用更广泛。
5、原子层沉积（ALD）是一种高精度薄膜沉积技术，以单原子膜形式在衬底表面层层沉积材料。使用两种或更多种包含不同元素的前体化学品，交替沉积以形成单层材料。ALD生长原理与化学气象沉积（CVD）类似，但反应前驱体交替沉积，每次反应只沉积一层原子，具有自限制生长特点，确保薄膜共形且无针孔。
6、在储能器件方面，ALD技术被用于在金属Li表面沉积Al2O3薄膜，以保护Li电极免受腐蚀并提高电极对潮湿空气以及含硫电解质的抗腐蚀能力。M.Noked等人利用ALD共形沉积和亚纳米膜厚控制的优势，在金属Li电极表面沉积了一层Al2O3薄膜，显著提高了电池充放电循环次数，延长了电池使用寿命。
