什么是金属的缺陷密度?有什么用处,或怎么衡量?
衡量点缺陷的是空位密度和间隙原子密度，有比较复杂的计算公式，主要决定于温度和合金化；线缺陷主要是各种各样的位错，用位错密度衡量，面缺陷主要是晶界，用晶粒度来衡量。
金属冷塑性形变后晶体缺陷密度增大，自由焓提高，处于热力学不平衡状态。它有一种恢复到形变前的状态的自发倾向，因而加热时它的组织和结构将发生变化，转变的驱动力便是冷形变时产生的储存能。1）如果加热温度较低或保温时间较短时，发生回复。此时点缺陷密度显著下降，位错密度也有所下降。
化学气相沉积（CVD）是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
快速凝固指的是在比常规工艺过程中快得多的冷却速度下，金属或合金以极快的速度从液态转变为固态的过程。要求金属与合金凝固时具有极大的过冷度。
技术提升的关键都是围绕着降低缺陷密度和如何研发出更高效稳定的器件进行的，而如何提升LED 芯片的发光效率则是目前整体技术指标的最重要衡量标准。传统的衬底材料有蓝宝石、Si、SiC，目前比较热门的材料有ZnO、GaN 等。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积。
马氏体（martensite）是黑色金属材料的一种组织名称，是碳在α-Fe中的过饱和固溶体，马氏体的三维组织形态通常有片状（plate）或者板条状（lath）。但是在金相观察中（二维）通常表现为针状（needle-shaped），这也是为什么在一些地方通常描述为针状的原因。马氏体的晶体结构为体心四方结构（BCT）。
郝跃的个人简介
1、郝跃教授，作为西安电子科技大学的副校长，他身兼多职，不仅是微电子学与固体电子学的博士生导师，更是科研领域的领军人物。出生于1958年3月的他，于1982年毕业于西安电子科技大学的半导体物理与器件专业，后来在西安交通大学继续深造，于1990年获得计算数学专业博士学位。
2、郝跃带领他的团队系统研究并揭示了GaN电子材料生长中缺陷形成的物理机理，独创性地提出了脉冲式分时输运方法、三维岛状生长与二维平面生长交替的冠状生长方法，显著抑制了缺陷产生。
3、这10位全国教书育人楷模，涵盖了高教、职教、中小学、幼教、特教等各级各类教育，同时兼顾了地域、民族、性别、年龄等因素，既有高校勇攀科研高峰的领军拔尖人才，也有在乡村默默奉献的一线教师。
4、学校致力于电子信息技术领域的系统研制、科技攻关、工程研发等，创造了我国电子与信息技术领域多项第一，先后承担了“973”、“863”、重大专项、国家自然科学基金重大项目等重大、重点项目，产生了一批标志性的科研成果。
5、曾师从郝跃院士，也曾任德国英飞凌科技公司高功率半导体器件系统部总工程师，主导高功率半导体器件系统开发、产品定义及芯片设计等方面规划。长期致力于高功率半导体器件和系统核心控制器集成电路芯片方面的研发工作，设计研发产品90多个，已经获得或正在申请的包括美国在内的各国专利130多项。
LED外延片的衬底材料考虑的因素是什么?
LED外延片的发展与衬底材料的选择密切相关。考虑因素包括结构匹配、热膨胀系数匹配、化学稳定性、制备难易和成本。我国LED外延片市场随着下游应用市场的增长而发展，产能和技术不断提升，尤其是在闽三角、环渤海湾和珠三角地区集中较多。
外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓（GaN），衬底材料主要有蓝宝石，硅，碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延（MOCVD）。
LED外延片（LED Epitaxial Wafer）是在单晶衬底上通过外延生长技术生长出来的半导体材料，这种材料在制造LED（发光二极管）中起到关键作用。LED外延片通常包括一个或多个不同类型的半导体层，例如一个N型半导体层和一个P型半导体层。当这两层接触时，会形成一个PN结，这就是LED的核心部分。
基本定义：LED外延片是在一种衬底上通过外延生长技术形成的薄膜结构。简单来说，就是在硅片上生长出特定的晶体薄膜，这个薄膜包含了制造LED所需的关键材料层。这些层具有特定的电学和光学特性，是实现LED发光的基石。
请问LED制程中衬底片和外延片的关系？哪个是P结，哪个是N结？... 请问LED制程中衬底片和外延片的关系？哪个是P结，哪个是N结？ 展开 我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 浏览1744 次 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。
小功率贴片LED是由透明环氧树脂封装，所以全身都是透明；而大功率LED底部需要有散热衬底，衬底材质通常是金属，所以不透光。