CAS号:12063-98-8
MDL号:MFCD00016109
EINECS号:235-057-2
RTECS号:LW9675000
BRN号:暂无
PubChem号:24874213
物性数据
1. 性状:黄色到黄绿色的立方结晶。
2. 密度(g/mL,25℃):4.13
3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定
4. 熔点(oC):1465
5. 沸点(oC,常压):未确定
6. 沸点(oC,1mmHg):未确定
7. 折射率:未确定
8. 闪点(oC):110
9. 比旋光度(o):未确定
10. 自燃点或引燃温度(oC):未确定
11. 蒸气压(20oC):未确定
12. 饱和蒸气压(kPa,60oC):未确定
13. 燃烧热(KJ/mol):未确定
14. 临界温度(oC):未确定
15. 临界压力(KPa):未确定
16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定
17. 爆炸上限(%,V/V):未确定
18. 爆炸下限(%,V/V):未确定
19. 溶解性:难溶于稀、浓盐酸、硝酸。
毒理学数据
1. 急性毒性:小鼠口服LD50:8gm/kg
主要的刺激性影响:
在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜
在眼睛上面:刺激的影响
致敏作用:没有已知的敏化现象
生态学数据
通常对水是不危害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境.
分子结构数据暂无
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值(XlogP):无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
常温常压下稳定。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。防止包装容器破裂。失火时,可用水、砂土、各种灭火器进行扑救。
本品属微毒
应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁库房内,容器必须密封
合成方法
目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。图XIII-19 用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布
液体密封直拉法采用高压单晶炉,将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在充以5.5 Mpa氩气压下,用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大,在典型生长条件下,有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用,使三氧化二硼透明性变差,并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察,为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径,制得磷化镓单晶成品。
合成溶质扩散法(SSD法)将镓放入石英坩埚中,镓源温度在1100~1150℃之间,坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000~1050℃,磷源温度为420℃,这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压,在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa,所以在0.1 Mpa磷蒸气压下,磷化镓可以稳定生长。开始时,磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散,由于坩埚底部温度较低,当磷化镓超过溶解度时,就会析出晶体,如磷源足够,最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。
磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。
磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有:Ga-PCI3-H2;GaHCl-PH3-H2;GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。
最近采用InP与InP;aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。2.按图所示,将镓和磷在真空中封入管图用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布内,在镓上形成温度梯度。镓的上面温度TH为1065~1330℃,温度梯度为7~46K/cm。坩埚底部温度(TL)低于TH,当磷蒸气压为101.325kPa时,加热数日,则GaP在Ga中扩散,于器底析出,全部为结晶块。这时,GaP的成长速度1日为0.8~7.0mm。上述是封闭管法,在连续操作系统中,也有类似的制块方法。3.用氩气流向保持在1150~1350℃的镓上输送气态磷,或用氢气流向保持在1130℃的氮化硼盘或石英盘中的镓上输送磷化氢都可以制得GaP。而后面的反应系统(1130℃),由于可以高精度地除去各种杂质,所以可得到高纯度的GaP。4.用氢气向保持在1000℃的Ga2O3上输送磷蒸气,可制得产率接近100%的GaP。5.将GaPO4在750~1050℃用氢或一氧化碳还原制取。
用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等,发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。
安全信息危险运输编码:暂无
危险品标志:刺激
安全标识:S26
危险标识:R36/37
文献暂无
备注暂无
表征图谱暂无图谱