位错密度的定义（位错与位错密度名词解释）

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位错密度的测量是个难题，传统的方法是采用金相法，通过观察位错露头的个数，计算位错密度。高分辨电镜是个办法，也是很多人用的办法，但是做过相关研究的人都会知道该方法的固有缺陷。

式一包含了电感的定义。如果1A/s的电流流经一个电感时产生了1V的电压，那么这个电感就有1H的电感。这就是楞次定律。式一的结果表明流经电感的电流不会瞬间改变，否则就会在电感两端产生一个无穷大的电压。

储能与位错密度的公式为W=1/2CU？。C为电容，U为电压，电容的容量单位是法拉（F）法拉单位大，使用最多的是微法（UF）或皮法（PF）。

国家标准（GB1554-79）中规定：位错密度在104个/cm2以下者，采用1mm2的视场面积；位错密度在104个/cm2以上者，采用0.2mm2的视场面积。并规定取距边缘2mm的区域内的最大密度作为出厂依据。

如果位错密度趋于零，金属的力学性能非常高；或者位错的密度非常高，并受到阻碍，金属的强度变大。

位错是晶体中最基本的线缺陷，是指晶体中原子排列的不连续性。位错可以通过一系列的运动和相互作用影响晶体的形成和性能，是材料力学和材料学中重要的概念。

对金属材料来说，位错密度对材料的韧性，强度等有影响。2位错密度越大，材料强度越大，延性越不好。3位错密度取决于材料变性率的大小。

位错作为晶体缺陷，对材料的力学性能和使用性能有着重要影响。因此，在位错的研究中，不仅需要了解位错的产生机制，还需要深入研究位错的形态、分布以及对材料性能的影响规律，为材料的优化设计和使用提供理论支持。

位错的假说是在30年代为了解释金属的塑性变形而提出来的，50年代得到证实。

位错可以帮助晶体滑移因为位错移动时需要的能量和断裂的键数量要远远小于原子移动。所以金属的塑性变形实际上都是由位错移动和增殖导致的。位错使得金属拥有了可锻造性，ductivity，没有位错的金属是没法造型的。

那么位错密度就是：在金属晶体中的位错是相当多的，通常以通过单位面积上的位错线的根数来衡量，称为位错密度。

位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。

位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度，单位是1/平方厘米1。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米2。

这就是楞次定律。式一的结果表明流经电感的电流不会瞬间改变，否则就会在电感两端产生一个无穷大的电压。在现实世界中，比如说，整个开关触点的电弧将会把电压限制在一个很高，但不是一个无穷大的值。

但是不得不说，TEM或传统金像分析法是最直接的方法。

毫米。根据查询道客巴巴网得知，制备半导体器件位错密度需要800毫米，位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。

晶格畸变。空冷中的溶质原子引起晶格畸变会导致增加位错密度，需要更换溶质原子。这种表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格，又称晶架。

位错滑移会导致符号相反的两个刃型位错滑移相遇时抵消（图1-8a）形成完整晶体，而两个符号相同的位错相遇时出现叠加形成空位（图1-8b）。位错增殖（dislocation multiplication）在晶体变形过程中，位错密度不断增加。

通过调整固液界面形状（改变拉速、埚转和晶转）来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界，得到低位错密度的单晶。

线缺陷：位错。位错的存在极大地影响金属的力学性能。当金属为理想晶体或仅含极少量位错时，金属的屈服强度很高，当含有一定量的位错时，强度降低。当进行形变加工时，位错密度增加，将会增高。面缺陷：晶界、亚晶界。

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